可以看到，平均擦除循环不过8次，寿命剩余还非常大。
这也极大的缓解了我对TLC寿命的担忧。

注意TLC写入量是4TB，SLC写入量11.5TB，总写入量7.1TB。
这里的总写入量就是 CrystalDiskInfo里面的主机写入量。
SLC写入量是SLC缓存区的写入量。
因为nCache2.0是拦截所有的写入操作的，所以SLC写入量会大于主机写入量。（需要反复的擦除腾空重写）

相比较东芝的全盘SLC缓存的设计，nCache2.0确实领先太多了。
尤其是nCache2.0的复制操作是在NAND芯片内部完成，不占用SSD的主控芯片的CPU时间。这点避免了SLC缓存清理时刻的卡顿。