因此驱动电路在选择能够替换FQPF8N65C型号MOS管产品应用时，应该考虑综合场效应管参数。
在国产电子产业不断发展的今天，我们更推荐使用优质的飞虹国产型号：FHP8N65型号参数来替代FQPF8N65C型号。
为什么说飞虹的这一款FHP8N65型号场效应管能够比较好的替代这一款FQPF8N65C场效应管参数的型号呢？

因为飞虹这款FHP8N65为N沟道增强型高压功率MOS场效应管，广泛应用于DC-DC电源转换器，AC-DC开关电源，高压H桥PMW马达驱动；在使用方面是匹配型号FQPF8N65C的国外场效应管。
它具有8.0A、650V，RDS(on) = 1.4Ω(max) @贴吧用户_0RbVC7P🐾 = 10 V 低电荷、低反向传输电容，开关速度快的特点。
FHP8N65/FHF8N65的主要封装形式是TO-220F，脚位排列位GDS。这款产品参数：Vgs（±V）：30；VTH（V）：2-4；ID（A）：8A；BVdss（V）：650V。

飞虹致力于半导体器件、集成电路、功率器件的研发、生产及销售，至今已经有33年半导体行业经验以及18年研发、制造经验。目前飞虹产品已经在驱动电路、驱动电路、电动车、LED照明、家电、锂电保护、电机控制器获得广泛应用，帮助合作伙伴解决符合国情、符合国际质量的国内优质产品。除提供免费试样外，更可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。
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